智能終端
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嵌入式工控機(jī)
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NXP(飛思卡爾)
Cortex-A7
開發(fā)板
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i.MX6UL全能版
i.MX6ULL開發(fā)板
三星
Cortex-A9
開發(fā)板
iTOP-4412精英版
iTOP-4412全能版
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iTOP-4418-郵票孔版本
Cortex-A53
開發(fā)板
iTOP-6818-連接器版本
iTOP-6818-郵票孔版本
核心板
6818核心板
6818核心板 郵票孔
瑞芯微
Cortex-A72/A55
開發(fā)板
龍芯
意法半導(dǎo)體
      電磁兼容技術(shù)高深難懂,工程師需要很長(zhǎng)時(shí)間的實(shí)踐才能入門。這里我們拋開晦澀的理論講解,介紹一下迅為工程師在實(shí)際產(chǎn)品開發(fā)過程中總結(jié)的電磁兼容測(cè)試技術(shù)及規(guī)律。
      電磁兼容設(shè)計(jì)主要包含浪涌(沖擊)抗擾度、電快速瞬變脈沖群抗擾度、電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度、工頻電源諧波抗擾度、靜電抗擾度、射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度、工頻磁場(chǎng)抗擾度、脈沖磁場(chǎng)抗擾度、傳導(dǎo)騷擾、輻射騷擾、射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)抗擾度等相關(guān)設(shè)計(jì)。
      而對(duì)于一般的產(chǎn)品,最常見的電磁兼容測(cè)試指標(biāo)主要包括:浪涌(沖擊)抗擾度、電快速瞬變脈沖群抗擾度、靜電抗擾度、射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度等。
      我們先來討論輻射抗擾度,對(duì)于手持設(shè)備,這項(xiàng)指標(biāo)尤為重要,比如手機(jī),我們希望手機(jī)的電磁輻射越小越好,從而降低電磁輻射對(duì)人體帶來的影響。
      輻射抗擾度測(cè)試需要微波暗室,如下圖:
      如上圖,微波暗室是采用吸波材料和金屬屏蔽體組建的特殊房間,當(dāng)電磁波入射到墻面、天棚、地面時(shí),絕大部分電磁波被吸收,而透射、反射極少。這樣我們就可以測(cè)試被測(cè)設(shè)備的輻射量是否超標(biāo)。
      上圖是正在測(cè)試的迅為iTOP系列開發(fā)板。一般來說,一款電路板產(chǎn)品是否輻射超標(biāo),和其電路設(shè)計(jì)以及Layout技術(shù)密不可分的,一塊設(shè)計(jì)良好的PCB電路板,不需要增加屏蔽罩等措施,就可以控制輻射閾值,使得高頻電路板對(duì)外輻射量不超標(biāo)。如下圖所示:
      而一些電子產(chǎn)品,由于對(duì)高頻信號(hào)沒有采取足夠的優(yōu)化設(shè)計(jì)或者重視不夠,導(dǎo)致輻射超標(biāo),影響產(chǎn)品的EMC性能,如下圖:
      那么這種情況下就需要進(jìn)行整改了。
      整改之前先要對(duì)輻射超標(biāo)部分進(jìn)行輻射點(diǎn)定位,比如產(chǎn)品有多個(gè)高頻部分,包括核心板高速內(nèi)存、LCD顯示,攝像頭等。如果是處理器核心部件輻射超標(biāo),一般只能重新優(yōu)化layout ,注意等長(zhǎng)布線以及高速信號(hào)的反射和串?dāng)_,在高速信號(hào)的發(fā)射端要增加匹配電阻,并包絡(luò)地平面來屏蔽高速信號(hào)。而對(duì)于差分信號(hào),要嚴(yán)格按照差分線的布線方法(等間距、等長(zhǎng))來進(jìn)行,另外一些走線較長(zhǎng)的高速線要進(jìn)行地層包裹。
       這里有個(gè)小經(jīng)驗(yàn),有的工程師認(rèn)為線路板走線過密會(huì)增加整板的輻射強(qiáng)度,從實(shí)踐中來看,并不是這樣的,輻射超標(biāo)一般是某個(gè)信號(hào)沒有處理好造成的,只要細(xì)心甄別就會(huì)發(fā)現(xiàn)?傊嘧鰧(shí)驗(yàn)多觀察,經(jīng)驗(yàn)會(huì)不斷積累并提高。
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